一、产业发展基础与现状

（一）产业规模持续扩大

"十五"期间，我国电子基础材料与元器件产业保持年均38.3%的高速增长，产业规模从"九五"末的1692亿元跃升至8553亿元，占全行业比重稳定在27%以上。工业增加值突破2117亿元，利润总额达363亿元，出口额增至281亿美元，产业规模仅次于日本和美国，位列全球第三（表1-1）。

（二）全球制造地位巩固

通过持续技术积累，我国已形成完整产业体系，电容器、电阻器、磁性材料等20余种产品产量全球占比超30%。其中，微特电机年产量达35亿只，印制电路产能突破1.1亿平方米，锂离子电池产量增长10倍，LED产能提升近4倍，成为全球重要的电子元件制造基地（表1-2）。

（三）技术创新显著突破

在关键领域实现多项技术突破：MLCC贱金属电极技术国产化率提升至60%，TFT-LCD面板量产突破五代线，自主光纤预制棒技术打破国际垄断，4-6英寸化合物半导体材料实现量产，SOI晶片制备技术达到国际先进水平。产品结构持续优化，片式元件占比达75%，绿色电池、高端印制电路等新兴领域快速发展。

二、"十一五"发展环境分析

（一）技术演进趋势

1. 元器件升级：向微型化（0201尺寸占比超50%）、集成化（无源集成模块占比提升30%）、智能化（MEMS传感器年增率25%）方向发展

2. 显示技术迭代：TFT-LCD主导平板市场（占比70%），PDP突破42英寸以上量产技术，OLED实现小尺寸商用

3. 材料革新：半导体级多晶硅纯度达99.9999999%，低温共烧陶瓷（LTCC）材料进入产业化阶段

（二）市场需求预测

全球市场规模将从2005年的5400亿美元增至2010年的9000亿美元，年均增速10%。国内市场需求更为强劲，预计2010年总规模达3.1万亿元，其中电子元件占比64.5%，新型显示器件占比29%，电子材料占比6.5%（表2-1）。

（三）产业竞争格局

全球产业呈现"日韩主导高端、中国占据中低端"的格局。国内企业在MLCC、印制电路等领域市场份额不足4%，高端材料依赖进口（如TFT-LCD玻璃基板国产化率<10%）。跨国公司通过专利布局（如村田持有MLCC专利超5000项）和技术封锁维持优势，产业升级面临双重压力。

三、发展目标与重点任务

（一）总体目标

到2010年实现：

· 产业规模突破2.5万亿元，出口创汇600亿美元

· 培育2-3家千亿级企业，10家百亿级企业

· 关键材料国产化率达30%，高端产品自给率提升至50%

· 片式元件占比达90%，绿色工艺普及率超80%

（二）重点发展领域

1. 新型电子元器件

· 片式化工程：重点发展01005尺寸MLCC、高频电感器、集成无源组件

· 智能传感器：突破MEMS压力传感器、光纤传感器产业化技术

· 绿色能源器件：建设10GWh锂离子电池产能，开发薄膜太阳能电池技术

2. 新型显示器件

· TFT-LCD：建设6代以上生产线，配套材料本地化率达40%

· PDP：实现42英寸以上模组量产，良品率提升至95%

· OLED：突破蒸镀工艺，实现中小尺寸面板量产

3. 关键电子材料

· 半导体材料：多晶硅产能达3000吨/年，8英寸硅片自给率30%

· 显示材料：彩色滤光片量产线建设，偏光片国产化突破

· 封装材料：无铅焊料、先进封装模塑料产业化

四、保障措施

（一）政策支持体系

· 修订《产业结构调整指导目录》，对高端器件给予所得税减免

· 设立专项基金，重点支持TFT-LCD、MEMS等关键领域研发

· 建立产业联盟，推动"整机-器件-材料"协同创新

（二）技术攻关计划

实施"四大工程"：

1. 平板显示产业链完善工程

2. 半导体材料突破工程

3. 智能传感器产业化工程

4. 绿色制造体系建设工程

（三）产业生态构建

· 建设10个国家级电子材料产业园

· 培育50家专精特新"小巨人"企业

· 建立知识产权共享平台，突破专利壁垒

五、实施保障

本规划由工业和信息化部负责组织实施，建立年度评估机制，动态调整发展重点。鼓励地方政府制定配套政策，引导社会资本投入，形成"政府引导、企业主体、产学研协同"的发展格局，为电子信息产业转型升级提供坚实支撑。

（本文数据主要来源于工业和信息化部公开文件及行业统计报告）